Proseguono le nostre recensioni di Kit RAM con un altro Kit di G.Skill della favolosa ed aggressiva serie Trident Z. Nelle scorse recensioni avevamo analizzato un Kit da 16GB con frequenza di 3200MHz (QUI). Oggi invece abbiamo ricevuto un nuovo Kit con capacità di ben 32GB sempre a 3200MHz. Vedremo se questo nuovo Kit siglato F4-3200C16D-32GTZA ci garantirà un overclock più spinto rispetto agli scarsi risultati ottenuti con il precedente Kit. Procediamo spediti dunque con l’analisi e test.

Sistema di prova e metodologia di test

Abbiamo effettuato i nostri test con una piattaforma Intel LGA 1151, con CPU dotata di architettura Skylake. Nel dettaglio:

Ricordiamo che queste memorie hanno un Vdimm a default di 1,35V per la frequenza di 3200MHz selezionando il profilo XMP.  Sulle CPU di architettura Ivy Bridge così come Haswell è consigliato mantenersi massimo al Vdimm di 1,5V+5%, ovvero circa 1,57V, per evitare nel tempo di danneggiare il memory controller ma con il voltaggio limite di 1.65V certificato XMP dalla stessa Intel non ci saranno problemi. Invece, con la nuova architettura e CPU Skylake e memorie DDR4, questi voltaggi sono diventati proibitivi, tanto che il massimo voltaggio raccomandato è 1,4V e solo per brevi e non continui bench potremo arrivare a massimo 1,5V ad aria.

Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

• CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
• Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
• Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
• RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

A seguire la lista di software utilizzati:

• 3D Mark 13 Fire Strike
• Aida64
• WinRAR
• Cinebench R15
• wPrime